IRF4435TR

MOSFET     P-Channel SOIC 8,                                                       

Transistor Polarity:    MOSFET     P-Channel    
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:    - 30 V    
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage:    20 V    
Id - Continuous Drain Current:    8 A    
Rds On - Drain-Source Resistance:    20 mOhms    
Configuration:    Single    
Maximum Operating Temperature:    + 150 C    
Pd - Power Dissipation:    2.5 W    
Mounting Style:    SMD/SMT    
Package / Case:    SOIC-8    

  data sheet